芯片破解SiC 二极管替代方案的应用正愈发普遍， 尤其在 DC-DC 转换环节， 原因有三：其一， 成本已降至合理水平；其二，无需对电路设计进行大幅改动；其三， 也是最重要的一点， 能显著提升系统性能。 此外， 工作频率的提高还可缩小无源器件的尺寸。

芯片破解在大功率产品（约 200kW 以上） 中， IGBT 仍是首选。 一方面， IGBT 在大电流场景下表现优异， 且这类系统对工作开关频率的要求不高， 因此 IGBT 关断速度慢的问题不会造成太大影响。 另一方面， 全 SiC 系统需要全新设计， 且成本高昂。 例如， 基于 IGBT 的转换器驱动电路与 SiC 系统不兼容；由于 SiC 元件的短路耐受时间 (SCWT) 短于 IGBT，还需重新设计保护方案。