芯片破解碳化硅 (SiC) 有助于提供更高的效率以推进当前技术趋势。 与传统的硅基 MOSFET/IGBT 相比，SiC 器件在高电压场景下的优势尤为突出：高压器件可简化拓扑结构， 无需使用多电平转换器； SiC 逆变器解决方案的损耗低于 IGBT 解决方案；同时， SiC MOSFET 的开关速度更快， 能够缩小无源器件（尤其是电感） 的尺寸。 这两方面因素共同提升了功率密度， 使相同尺寸和重量的器件可实现更高功率输出。

不过，芯片破解实际应用中必须在成本与性能之间进行权衡， 并结合具体需求来选择最合适的解决方案。