芯片复制IC解密台积电表示2纳米工艺正式引入GAA技术，这将大幅提升2纳米工艺的性能，与此前的3纳米工艺性能提升幅度较小有很大的不同。

台积电的3纳米工艺继续采用FinFET技术，由于延续了“古老”的FinFET技术，导致苹果的A17处理器仅提升了一成的性能，而A18处理器在采用了改良后的3纳米工艺后也只是提升了15%的性能。

不过台积电采用FinFET技术获得了巨大的好处，确保了3纳米工艺的量产，台积电的3纳米工艺良率较高，去年的3纳米工艺达到55%的良率，今年已提升至八成以上。

台积电的竞争对手三星激进地采用了GAA技术，导致3纳米工艺至今良率低下，业界推测三星的3纳米工艺去年良率只有一成多点，在努力一年之后至今也只有两成左右的良率，过低的良率导致三星的3纳米工艺找不到客户，连重要客户高通也已回归台积电。

芯片复制IC解密当下的芯片制造工艺已逐渐接近硅基芯片的极限，普遍认为硅基芯片的极限会是1纳米，沿着现有的芯片工艺开发，不知还能进展到何种程度，台积电表示已在开发A16工艺，大约是1.6纳米。

光刻机大厂ASML也表示它2纳米EUV光刻机可能是它最后一款光刻机，它已很难开发更先进的EUV光刻机，没有更先进的设备，这些芯片制造工艺就只能是持续改良，很难说是革新性的技术。