台积电 2nm（N2）工艺如期进入量产芯片解密
量产基地为高雄 Fab 22，良率约 90%，首批客户锁定苹果、芯片解密英伟达等，将重构高端手机与 AI/HPC 芯片的供应链与成本结构。
一、核心工艺与性能
N2 是台积电首款全环绕栅极（GAA）纳米片晶体管工艺，对比 N3E（3nm 增强版）关键指标如下：
| 指标 | N2 工艺 | N3E 工艺 | 提升 / 优化 |
|---|---|---|---|
| 晶体管架构 | GAA 纳米片 | FinFET | 栅极全包裹，漏电流更低，驱动能力更强 |
| 晶体管密度 | 约 500MTr/mm² | 约 435MTr/mm² | 提升约 15% |
| 性能 / 功耗 | 同功耗性能 + 10%–15%；同性能功耗 - 25%–30% | 基准 | 适配手机 SoC 与 AI/HPC |
| 供电网络 | SHPMIM 电容，密度翻倍 | 常规 MIM | 电源稳定性提升，片电阻 / 过孔电阻降 50% |
| 良率 | 量产初期约 90% | 成熟约 95% | 量产即达高良率，爬 |
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