晶合集成表示，该产品具备1.8亿超高像素8K 30fps PixGain HDR模式高帧率及超高动态范围等多项领先性能，创新优化光学结构，可兼容不同光学镜头，提升产品在终端灵活应用的适配能力。

据了解，该芯片基于晶合集成自主研发的55纳米工艺平台，携手思特威共同开发光刻拼接技术，克服了在像素列中拼接精度管控以及良率提升等困难，成功突破了在单个芯片尺寸上所能覆盖一个常规光罩的极限，同时确保在纳米级的制造工艺中，拼接后的芯片依然保证电学性能和光学性能的连贯一致。

晶合集成表示，该CIS芯片将主要应用于高端单反相机。而在CIS芯片领域，索尼在全球市场长期占据着霸主地位，占据近50%的总市场份额。

据悉，索尼CIS芯片通常使用90纳米至40纳米工艺制造，少部分高端CIS芯片会常用28纳米工艺。而在像素方面，索尼目前推出的CIS芯片最高像素为1亿像素，用于高端摄影设备和专业应用。

有报道，称索尼正在研发的CIS传感器将接近或达到2亿像素，不过具体的发布时间和产品细节还没有公开确认。