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芯片解密

LG斥资芯片解密215亿元在美建电池正极材料工厂

韩国化学材料制造商LG化学表示,计划投资超30亿美元(约215亿元人民币),在美国田纳西州建立电池正极(阴极)材料工厂,以满足电动汽车零部件日益增长的需求。

据了解,芯片解密正极材料是由镍、钴、锰和铝组成的关键电池部件,约占电池生产成本的40%。在矿产成本上升的情况下,确保正极材料的稳定供应日益成为电动汽车电池制造商的重要因素。

LG化学建设的正极材料新工厂,芯片解密于美国时间周一在田纳西州举行了签署仪式。LG化学首席执行官Shin Hak-cheol 和田纳西州州长Bill Lee在仪式上签署了LG化学第一家美国正极材料工厂的谅解备忘录。

LG化学在一份声明中表示,芯片解密该工厂的目标是到2027年达到年产12万吨正极材料的产能,这足以为约120万辆纯电动汽车提供动力。

LG补充道,该工厂将于明年一季度开始兴建,并于2025年下半年开始大规模量产。

该公司还指出,其目标是到2027年将其在电池材料领域的销售额提高至目前的四倍,至20万亿韩元(约合147亿美元)。


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