澳大利亚Silanna UV宣布，单片机解密公司在利用纳米结构生产UV－C LED技术方面取得了重大突破。据悉，该公司开发出的一种新工艺有望使深紫外线和远紫外线LED更容易制造，在波长更短的情况下效率更高，而且更可靠。

近年来，单片机解密UV－C LED器件在消毒应用、水质监测、气敏、液相色谱以及化学和生物分析方面扮演着越来越重要的角色。而新冠疫情又推动了大众对空气、水和表面消毒的需求，这类下一代UV LED已经成功抓住了市场消费者们的眼球。

具体而言，单片机解密Silanna UV宣布公司已经申请了一项名为“短周期超晶格”（SPSL）的突破性工艺专利，该工艺克服了AlGaN UV－C LED技术当下面临的一系列瓶颈。本质上而言，Silanna UV是成功地创造了一种新的材料（一种纳米结构），这种纳米结构不仅更容易控制，而且性能也远优于传统的氮化铝镓（AlGaN）。

超越传统紫外LED

多年来，单片机解密UV－C LED制造商一直依赖于传统的AlGaN铝氮化镓合金配方。理论上，通过调节合金晶格中铝和金属镓的比例，可以调节带隙，产生从340 nm－210 nm的紫外发射，并覆盖大部分紫外光谱。但实际上，260nm以下的发射需要高铝含量的氮化铝镓，这与氮化镓（GaN）不同，使其很难实现理想的n和p型掺杂，特别是在最短波长，导致电学性能较差。高铝含量的AlGaN还会由于发射光的偏振而存在光提取问题，导致光输出的显著损失，特别是在远紫外低于240nm的范围内。

突破性的SPSL材料

为了克服UV LED的这些问题，Silanna UV采用了“短周期超晶格”（SPSL）新技术，而不是常见的AlGaN方法。

与传统的三元合金不同，SPSL工艺使用了多达数百层交替的AlN和GaN进行构建，通过调整层的厚度，就可以精确地调节能带隙和导电性。这也就意味着，由高铝含量AlGaN带来的问题（如电学特性差和短波光损耗大）在一定程度上得到了解决。

与UV－C LED竞争对手相比，单片机解密SPSL技术带来了巨大的优势，包括在较短波长下保持高功率、优越的电学性能和卓越的寿命性能。近期，该公司已经使用该工艺分别对235nm和228nm的UV－C LED器件进行了表征。