芯片复制三星电子公布最新存储芯片扩产计划，宣布启动 HBM4 量产投片，将月产能从目前的 17 万片提升至 25 万片，以应对全球 AI 芯片对高带宽内存的爆发式需求。同时，三星计划 2026 年将整体 DRAM 产量提高约 20%，新增产能主要依托平泽 P4 工厂，重点生产 10nm 级第六代（1z）DRAM，为 HBM4 的封装提供核心支撑微博。

HBM4 作为新一代高带宽内存，芯片复制带宽较 HBM3e 提升一倍，达到 8.192Tb/s，能够满足万亿参数大模型训练和推理的需求。三星已确定 HBM4 单价为 700 美元，较 HBM3e 上涨 20%-30%，即便如此，其 2026 年 HBM 全系列产能已被全球头部客户 100% 锁定。为保障 HBM4 的量产良率，三星优化了封装工艺，采用全新的微凸点技术，缩小晶粒间距，提升散热性能。

除了扩产，三星还加大了资本投入，2026 年资本支出同比增长约 3.7%，主要用于 HBM 产能建设和先进制程研发微博。目前，三星在 HBM 市场的份额仅次于 SK 海力士，随着 HBM4 的量产，三星有望进一步缩小与竞争对手的差距。业内预计，2026 年全球 HBM 市场规模将突破 200 亿美元，成为存储行业增长最快的细分领域。