IC解密SK 海力士加码 HBM4，资本开支增 24% 扩产SK 海力士公布 HBM4 封装技术革新方案，通过加厚 DRAM 晶粒、缩小层间距，解决信号干扰与散热难题，提升产品稳定性。为应对 AI 算力需求，该公司宣布 2026 年资本开支增加 24%，全力扩充 HBM 产能。目前其 HBM4 产能已被头部客户锁定，IC解密标准型 DRAM 库存仅 4 周，行业全面进入卖方市场。此次技术升级与扩产，将进一步巩固其在全球高端内存市场的竞争力。