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光刻与互连：High-NA EUV与铜替代方案IC解密

时间：2026-03-01 来源：芯片解密浏览：2次字号：大中小

IC解密High-NA EUV光刻机落地：阿斯麦（ASML）的High-NA（数值孔径0.55）EUV光刻机在2025-2026年进入早期生产阶段。其分辨率比现有EUV提高1.7倍，单次曝光即可实现更小的特征尺寸（<16nm），减少了对多重曝光技术的依赖，降低了复杂度和成本，是推进1.4nm（A14）及以下节点的关键。
互连材料革新：随着铜互连在纳米尺度下电阻率急剧上升，2026年行业开始规模引入钌（Ru）或钴（Co）作为局部互连材料，甚至IC解密探索石墨烯等二维材料。这些新材料能有效降低RC延迟，提升信号传输速度。