IC解密1)按材料和极性分有硅/锗材料的NPN与PNP三极管。 2)按功率分有小功率三极管、中功率三极管、大功率三极管。

IC解密3)按用途分有高、中频放大管、低频放大管、低噪声放大管、光电管、开关管、高反压管、达林顿管、带阻尼的三极管等。

IC解密4)按工作频率分有低频三极管、高频三极管和超高频三极管。

IC解密5)按制作工艺分有平面型三极管、合金型三极管、扩散型三极管。

IC解密6)按外形封装的不同可分为金属封装三极管、玻璃封装三极管、陶瓷封装三极管、塑料封装三极管等。

三极管引脚极性：插件引脚图示（1），贴件引脚图示（2）下图为9014。般中小功率的三极管都是遵守左向右依次为ebc（条件是中小功率塑料三极管按图使其平面朝向自己，三个引脚朝下放置，则从左到右依次为ebc）

场效应管：MOS场效应管即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。

金属氧化物半导体场效应三极管的基本工作原理是靠半导体表面的电场效应，在半导体中感生出导电沟道来进行工作的。当栅G电压VG增大时，p型半导体表面的多数载流子棗空穴逐渐减少、耗尽，而电子逐渐积累到反型。当表面达到反型时，电子积累层将在n+源区S和n+漏区D之间形成导电沟道。

当VDS≠0时，源漏电极之间有较大的电流IDS流过。使半导体表面达到强反型时所需加的栅源电压称为阈值电压VT。当VGS>VT并取不同数值时，反型层的导电能力将 改变，在相同的VDS下也将产生不同的IDS,实现栅源电压VGS对源漏电流IDS的控制。