随着我国已步入“大数据”时代，以大数据、云计算、物联网为代表的下一代信息技术的推动下，数据处理量巨大增长，这意味着作为数据传输基础部件的网络变压器，不仅要满足最基本的传输性能，芯片解密还要满足大幅提升传输速率。磁联达作为成熟的网络变压器厂商，推出了2.5G、5G、10G等多款万兆以太网网络变压器，可满足各类高速万兆交换机等核心网板的需求。

磁联达本期同时推荐目前市面常用的2.5G,10G传统网络变压器模块和Chip LAN变压器：

1、 传统网络变压器模块

a、 QG2439S（工作速率：2.5G，端口：1 port，封装：SMD24 15.1*7.1*4.0mm,  工作温度:-40°C~85°C,插入损耗：低, 共模抑制比：高电磁兼容性：优良）

b、 TG2491S（工作速率：10G，端口：1 port，,封装：SMD24 13.51*12.2*6.09mm,  工作温度:-40°C~85°C,插入损耗：低, 共模抑制比：高电磁兼容性：优良）

这两款2.5G,10G Base-T LAN变压器是一款高性能的离散磁元件，芯片解密适用于高速网络通信场景，如数据中心、企业网络等。该产品具有低损耗、高隔离性能和良好的温度稳定性，产品包含交换机、路由器、接入设备和网络接口卡等。其主要规格参数包括频率范围、插入损耗、隔离度、温度范围等，适用于高速以太网和万兆以太网应用场景。

 2、 Chip LAN变压器

a、 QA021G00（工作速率：2.5G,封装：SMD6 4.6*3.4*3.20mm, PoE:720mA, 工作温度:-40°C~85°C,插入损耗：低, 共模抑制比：高电磁兼容性：优良）

b、 MA020G00（工作速率：10G,封装：SMD6 4.6*3.4*3.20mm, PoE:720mA，工作温度:-40°C~85°C,插入损耗：低, 共模抑制比：高电磁兼容性：优良）

以上型号是专为2.5G，10G网络设计的高性能网络变压器。芯片解密该产品具有低插入损耗、高共模抑制比和优良的电磁兼容性，适用于高速数据传输和通信设备。其核心参数包括工作频率范围、插入损耗、共模抑制比等。广泛应用于网络交换机、路由器、服务器和其他高速数据传输设备中，提供稳定可靠的信号传输性能。