三菱电机即将亮相PCIM Asia 2025IC解密
IC解密三菱电机将重点展出三大明星产品:
面向大容量家电的SiC SLIMDIPTM 功率半导体模块
作为三菱电机首款面向家电应用的SiC SLIMDIPTM模块,该系列包括 全SiC DIPIPMTM与混合SiC DIPIPMTM 两类创新设计:
· 全SiC SLIMDIPTM
内置专为SLIMDIPTM封装优化的SiC-MOSFET芯片,能够在家电应用中显著提升输出功率与能效。该方案有效降低功率损耗,为空调等家电提供高效解决方案。
· IC解密混合SiC SLIMDIPTM
通过同一IC驱动并联的SiC MOSFET(低电流下具备低导通电压特性)和Si RC-IGBT(高电流下保持优异导通特性),实现低功率损耗与稳定性能兼顾。
这一创新架构,使家电厂商在追求节能的同时,也能保持高可靠性与成本竞争力。
该系列产品为家电节能升级注入全新动力,进一步推动家庭用能与社会能源的绿色转型。
第8代IGBT 模块
IC解密三菱电机全新推出的第8代IGBT模块,重点突破在于更高功率密度、更低损耗、更优散热:
· 技术创新
o 采用分段式沟槽栅结构,降低导通损耗;
o 芯片背面等离子体层结构减少厚度,进一步优化开关特性;
o 扩大芯片面积,有效降低结壳热阻。
· 性能提升
o 第8代LV100封装产品:由第7代的1200V/1200A提升至 1200V/1800A;
o 第8代NX封装规划开发5款不同规格产品,包括 1000A/1200V半桥、800~1000A/1200V Split-NPC(半桥+钳位二极管) 等。
凭借更强的电流承载力与热管理能力,第8代IGBT模块可充分适配高功率场景下的性能需求,将广泛应用于新能源发电、轨道交通、工业电机驱动等高功率场景,为用户提供更高效可靠的解决方案。
面向电动汽车的 J3 系列 SiC-MOSFET 功率半导体模块