芯片解密|芯片破解|芯片复制|单片机解密|IC解密| PCB抄板|软件开发

飞芯科技-芯片解密|芯片破解|芯片复制|单片机解密|IC解密| PCB抄板|软件开发

三菱电机即将亮相PCIM Asia 2025IC解密

IC解密三菱电机将重点展出三大明星产品:

面向大容量家电的SiC SLIMDIPTM 功率半导体模块

作为三菱电机首款面向家电应用的SiC SLIMDIPTM模块,该系列包括 全SiC DIPIPMTM与混合SiC DIPIPMTM 两类创新设计:

· 全SiC SLIMDIPTM
内置专为SLIMDIPTM封装优化的SiC-MOSFET芯片,能够在家电应用中显著提升输出功率与能效。该方案有效降低功率损耗,为空调等家电提供高效解决方案。

· IC解密混合SiC SLIMDIPTM
通过同一IC驱动并联的SiC MOSFET(低电流下具备低导通电压特性)和Si RC-IGBT(高电流下保持优异导通特性),实现低功率损耗与稳定性能兼顾。
这一创新架构,使家电厂商在追求节能的同时,也能保持高可靠性与成本竞争力。

该系列产品为家电节能升级注入全新动力,进一步推动家庭用能与社会能源的绿色转型。

第8代IGBT 模块

IC解密三菱电机全新推出的第8代IGBT模块,重点突破在于更高功率密度、更低损耗、更优散热:

· 技术创新

o 采用分段式沟槽栅结构,降低导通损耗;

o 芯片背面等离子体层结构减少厚度,进一步优化开关特性;

o 扩大芯片面积,有效降低结壳热阻。

· 性能提升

o 第8代LV100封装产品:由第7代的1200V/1200A提升至 1200V/1800A;

o 第8代NX封装规划开发5款不同规格产品,包括 1000A/1200V半桥、800~1000A/1200V Split-NPC(半桥+钳位二极管) 等。

凭借更强的电流承载力与热管理能力,第8代IGBT模块可充分适配高功率场景下的性能需求,将广泛应用于新能源发电、轨道交通、工业电机驱动等高功率场景,为用户提供更高效可靠的解决方案。

面向电动汽车的 J3 系列 SiC-MOSFET 功率半导体模块



联系方式

地址:石家庄市新华区民族路77号华强广场D座2009
电话:0311-88816616/87087811
手机:13315190088
传真:0311-67901001
联系人:张工
网址:www.feixindz.com
邮箱:feixindz@163.com
微信:xinpianjiemi
QQ:527263666/568069805

在线客服
热线电话

企业微信