1、 参考电路：

R1~R5 (10K-100 kΩ)是上拉电阻，软件开发当SD NAND处于高阻抗模式时，保护CMD和DAT线免受总线浮动。

即使主机使用SD NAND SD模式下的1位模式，主机也应通过上拉电阻上拉所有的DATO-3线。

R6（RCLK）参考0-120 Ω。

2、电源VDD（VCC_3V3）建议单独供电，且需要注意提供SD NAND电流供电能力不小于200mA。

3、下图是SD协议规定的上电规范，SD NAND的工作电压范围是2.7V-3.6V：

为了确保芯片能正常上电初始化，电压要在0.5V以下至少1ms；软件开发电源上升的时候需要保持电源是稳定的、持续上升的，上升到正常工作电压的时间是0.1ms-35ms；主机关闭电源时，将卡的VDD降至0.5伏以下的最小周期为1ms。在断电期间，DAT, CMD和CLK应断开连接或由主机驱动到逻辑0，以避免工作电流通过信号线引出的情况。

二、Layout 设计说明

1、数据线应尽量保持等长，以减少时序偏差和提高信号的同步性。

2、对于CLK时钟线，尽可能进行包地处理。对于走线阻抗，控制阻抗50欧姆。

3、SD NAND芯片最好靠近主控芯片放置，以减少走线长度和干扰。

4、LGA 9*12.5 封装焊盘分两侧 2*8分布,其中同名网络 layout 时可以连接在一起，方便后续更换物料时兼容 LGA6.0×8mm，LGA6.6×8.0mm封装(如下图)。