2024年8月29日，SK海力士宣布，全球首次成功开发出采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM，也表示 1c nm 工艺将用于多款其它 DRAM 内存产品。

SK海力士以 1b DRAM 平台扩展的方式开发了 1c 工艺。SK 海力士的技术团队认为这样不仅可以减少工艺高度化过程中可能产生的尝试错误，还可以最有效地将业界内凭最高性能 DRAM 受到认可的 SK 海力士 1b 工艺优势转移到 1c 工艺。而且，SK 海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料，也在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化，由此确保了成本竞争力。与此同时，在1c工艺上也进行了设计技术革新，与前一代1b工艺相比，其生产率提高了30%以

据IT之家报道，此次1c DDR5 DRAM 将主要用于高性能数据中心，其运行速度为 8Gbps（每秒 8 千兆比特），与前一代相比速度提高了 11%。另外，能效也提高了 9% 以上。随着 AI 时代的到来，数据中心的耗电量在继续增加，如果运营云服务的全球客户将 SK 海力士 1c DRAM 采用到数据中心，公司预测其电费最高能减少 30%。

SK 海力士 DRAM 开发担当副社长金锺焕在新闻稿中表示：“1c 工艺技术兼备着最高性能和成本竞争力，公司将其应用于新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先进 DRAM 主力产品群，由此为客户提供差别化的价值。今后公司也将坚守 DRAM 市场的领导力，巩固最受客户信赖的 AI 用存储器解决方案企业的地位。”