几十年来，硅（Si）一直是半导体行业的主要材料——从微处理器到分立功率器件，无处不在。然而，随着汽车和可再生能源等领域对现代电力需求应用的发展，硅的局限性变得越来越明显。

随着行业不断探索解决方案，单片机解密宽禁带（WBG）材料，包括碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN），被视为解决之道。禁带宽度描述了价带顶部和导带底部之间的能量差。硅的禁带宽度相对较窄，为1.1电子伏特（eV），而SiC和GaN的禁带宽度分别为3.3eV和3.4eV。这些特性意味着宽禁带材料的特性更像绝缘体，能够在更高的电压、频率和温度下工作。因此，它们非常适合用于电动汽车（EV）和可再生能源等领域的功率转换应用。


碳化硅（SiC）

碳化硅（SiC）并非新鲜事物，作为研磨材料已有超过一个世纪的生产历史。单片机解密然而，由于具有适合高压、大功率应用的诱人特性，SiC正逐渐崭露头角。SiC的物理特性，如高热导率、高饱和电子漂移速度和高击穿电场，使得SiC设计相比硅MOSFET或IGBT具有极低的损耗、更快的开关速度和更小的几何尺寸。

许多业内人士将SiC视为具有竞争优势的原材料，因为它能够在减小尺寸、重量和成本的同时提高效率。由于SiC系统的工作频率更高，无源器件的体积更小，损耗更低，因此所需的散热措施也更少。最终，这将实现许多现代应用所需的更高功率密度。

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