TDS是传统分立式TVS二极管的替代品，具有多种优势。

1. 芯片复制导通电阻RDYN和钳位电压

导通电阻RDYN定义为器件触发后I-V曲线的斜率，其直接决定了器件钳位电压的幅值。RDYN越大，器件在额定浪涌电流范围内钳位电压上升越大。RDYN越小，器件在额定浪涌电流范围内钳位电压基本保持恒定。图7和图8比较了TDS与传统TVS二极管的RDYN和钳位电压。如前一节所述，由于TDS中的AG和gm的值非常大，公式3显示的RDYN可以接近零：

接近零的RDYN在浪涌事件的持续时间内提供精确、平缓的钳位电压。此外，TDS与TVS二极管不同，TDS采用IC技术来实现浪涌防护，不再依赖PN结来实现击穿和浪涌电流泄放，因此其实现的闭环调节可以保证TDS在不同温度下的额定功率和钳位电压的稳定性，并且能够进行工艺补偿。

2. 温度特性

芯片复制由于TDS内置温度补偿，因此TDS的触发电压、钳位电压以及漏电流在整个工作温度范围内都具有强的稳定性。在浪涌事件中，TVS器件通过内部的PN结击穿并且泄放电流，导致其自身耗散功率高，温度上升，钳位电压上升，泄放能力下降。但是，TDS是通过内置额定场效应晶体管将浪涌电流转移至地，并且导通电阻低，自身耗散功率低，器件自身温度上升慢。

根据图9所示的钳位电压与温度的关系可以看出，传统的TVS二极管的钳位电压随温度上升而增加，对温度变化极为敏感，这严重限制了TVS二极管在高温等复杂环境下的应用。在笔记本电脑、USB-PD接口等应用领域中，设备长时间工作，温度上升是必然的。这必定会导致TVS二极管的钳位和泄放能力产生较大变化，存在安全隐患。TDS的钳位电压在-40℃~125℃的工作温度范围内保持平缓。该优异特性有效保护USB-PD、传感器等设备在恶劣环境中长时间工作。

图9 不同温度下的钳位电压

3. 漏电

由于芯片复制TDS采用内置额定浪涌场效应晶体管泄放瞬态浪涌电流，其漏电流为皮安（pA）量级。相比于传统TVS二极管中PN结的微安（uA）级反向漏电流明显降低。当漏电流流过输入保护电阻、采样电阻或源阻抗时会产生显著的误差，尤其是对前端传感器信号读出电路的精度将产生严重误差。图10比较了传统TVS二极管相对于TDS系列的VRWM与最大漏电流。湖南静芯推出的TDS由于工艺变化小、稳定性高，因此可以在全工作电压以及全温度范围内保证低漏电，而传统TVS二极管难以保证漏电流小于1µA。在高温下，传统TVS二极管的漏电流甚至接近1mA，这会显著影响信号完整性并导致低功率系统的效率降低。

图10 TDS系列与传统TVS二极管的最大漏电流 vs. VRWM

4. 功率与温度降额

传统TVS二极管虽被设计成可以在广泛的温度范围内工作，但高温环境下或者TVS二极管自身热损耗上升情况下，仍需要考虑浪涌事件期间是否会超过TVS二极管的最大额定功率，避免器件产生热损坏。