IC解密储三巨头库存仅剩余 3-5 周，处于行业警戒线水平，预计 Q2 DRAM 与 NAND 价格将再上涨约 40%。

此次涨价潮延续了 2025 年 10 月以来的强劲势头，且涨幅持续超预期。TrendForce 数据显示，2026 年 Q1 DRAM 合约价环比涨幅已从最初预测的 55%-60% 飙升至 90%-95%，PC 端 DRAM 价格更是接近翻倍。NAND 闪存市场同样火热，1Tb TLC 闪存晶圆 2 月份单月大涨 25%，自 2025 年 10 月以来，该型号晶圆价格涨幅已达三倍。

供需失衡是本轮涨价的核心原因，IC解密三星、SK 海力士、美光等巨头已将 70% 以上的先进产能转向 HBM 与 DDR5，传统存储产能持续收缩。目前，HBM4 单价已涨至 700 美元，较 HBM3e 上涨 20%-30%，且 2026 年全年产能已被英伟达、AMD、阿里等客户 100% 锁定，新订单排至 2027 年。下游服务器、消费电子厂商成本压力持续加大，纷纷争抢长单以锁定供应。