消息称三星3nm GAA工艺良率仍远低于客户要求,仅10%-20%
据DIGITIMES报道,三星电子的3nm GAA工艺良率仍远远落后于其目标。根据一份报道,三星正在努力提高其3nm GAA工艺良率,该工艺良率刚刚达到10%至20%之间。三星4nm工艺制造的良率也低于预期,仅为30%-35%。
市场消息人士认为,三星第一代3nm GAA工艺将首先用于三星自研芯片的制造,该工艺不太可能被外部客户采用。但该消息人士称,三星的第二代3nm工艺将为外部客户的芯片设计做好准备,预计明年开始量产。
据称,三星电子规划今年实现3纳米制程芯片量产,不过业内传言当前工艺(3GAE)的试产良率不尽如人意,仅达到约两成,低良率带来的高成本,使三星在3纳米工艺量产初期可能仅用于自有产品生产。