IC解密在科技演进浪潮中，能源技术已逐渐成为现代产业发展的核心驱动力。从移动设备到云服务器，从电动车到智慧城市，科技产品日益强调效能、速度与可持续能源的平衡，而这一切的背后都需要更高效、更稳定的电源转换技术。

随着各种应用对能源效率与功率密度的要求不断提高，传统以硅（Silicon, Si）为基础的功率元件正面临物理与性能的极限挑战。这也促使业界开始寻求更具潜力的新型材料，其中氮化镓（Gallium Nitride, GaN）无疑是最具代表性的技术之一。本文将介绍GaN技术优势、安森美iGaN概述、VDD, LDO旁路电容等。

GaN技术优势

IC解密GaN作为一种宽禁带半导体（Wide Bandgap Semiconductor），其材料特性天然地优于硅，在多个关键指标上具备显著优势。在相同输出功率的条件下，GaN可在 MHz 等级的开关频率下工作，能显著缩小磁性元件（如变压器与电感）与滤波电容的体积，实现更高的功率密度与更小的系统尺寸。

GaN元件具备较小的输入与输出电容，同时无反向恢复电流，能有效降低死区时间损耗（Dead Time Loss）与反向恢复损耗（Reverse Recovery Loss），使其在高频开关下仍维持高效率。虽然 GaN 的单位面积成本高于硅，但其更低的 RDS(on)使整体效率更佳，并能减少散热器面积与系统散热需求。

虽然GaN本身具备卓越性能，但其驱动与控制的难度较高。单纯采用分立式 GaN 所带来的设计挑战不容忽视，特别是在高频驱动、PCB 布线、EMI 控制与可靠性设计方面，难度远高于传统硅 MOSFET。为了解决上述问题，整合型 GaN（Integrated GaN，简称 iGaN） 技术应运而生。