英飞凌科技股份公司发布了一项全新的CoolSiC^TM技术，单片机解密即CoolSiC^TM MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化硅（SiC）芯片用于颇受欢迎的Easy模块系列，以及采用基于.XT互连技术的分立式封装，具有非常广泛的产品组合。M1H芯片具有很高的灵活性，适用于必须满足峰值电力需求的太阳能系统，如光伏逆变器。同时，这款芯片也是电动汽车快充、储能系统和其他工业应用的理想选择。

CoolSiC技术取得的最新进展使得栅极驱动电压窗口明显增大，单片机解密从而降低了既定芯片面积下的导通电阻。与此同时，随着栅极运行窗口的扩大，栅极能很好地耐受与驱动器和布局相关的电压峰值，即使在更高开关频率下亦不受任何限制。除了M1H芯片技术，还可通过采用不同封装使不同型号的产品实现更高功率密度，为设计工程师提供更多选择，助力其提升应用性能。

Easy模块可实现更高的功率密度

M1H将被集成到备受青睐的Easy系列中，单片机解密以进一步优化Easy 1B和2B模块。此外，英飞凌还将推出一款新产品，利用全新的1200 V CoolSiC^TM MOSFET技术和增强Easy 3B模块。新芯片尺寸的推出最大限度地提高了灵活性，适用于广泛的工业产品组合。采用M1H芯片，可显著降低模块的导通电阻，让设备更加可靠和高效。