英特尔对18A工艺一直基于厚望，之前还有报道称，英特尔已经取消了客户的20A制程，并将资源转移到18A制程。

18A制程也是继20A制程后，第二个RibbonFET全环绕栅极晶体管和Power Via背面供电技术。

与20A制程相比，18A制程优化了RibbonFET设计，提高了10%的性能功耗比。

英特尔18A制程的首批产品是Clearwater Forest 服务器芯片、Panther Lake CPU，接下来还有Diamond Rapids。另外微软和美国国防部也将使用该制程节点。

此前，英特尔预计，到2025年年中，内部和外部共有大概8款采用18A工艺的产品。由于良率过低，原定的计划大概率会被推迟。

相比之下，台积电就顺利太多了。

虽然在“节点尺寸”上台积电稍微落后，但台积电N2制程的晶体管密度远胜英特尔的18A。

英特尔的18A工艺采用了高密度SRAM位单元，尺寸为0.021微平方米（从而实现约31.8Mb/mm²的SRAM密度），明显低于台积电的N2，与台积电的N3E和N5相当。

据悉，台积电的 2nm 工艺引入了一种新的晶体管结构 — 环绕栅极（GAA），GAA 晶体管通过垂直排列的水平纳米片，在四个侧面包围通道，而前代的鳍式场效应晶体管（FinFET）仅能覆盖三面。

GAA 晶体管具有更低的漏电率和更高的驱动电流，从而提升了性能。