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芯片解密聚芯微电子发布自研ToF传感器芯片
   

3 月 9 日讯,聚芯微电子正式发布其自主研发的 ToF 传感器芯片 SIF2310,该产品原计划在 MWC 2020 发布,但由于今年新冠肺炎疫情的爆发,展会停办,聚芯微电子选择进行线上发布。

预计 2020 年 6 月将量产 SIF2310 ,并同步提供 Demo 与评估套件。同时,芯片解密该公司拟于年内发布 VGA 等一系列不同规格的 ToF 传感器芯片以完善其产品组合。

ToF 是目前被广泛看好的 3D 成像技术,实现了从成像到感知的转变,让人脸识别、手势控制、增强现实、机器视觉、自动驾驶等创新应用成为现实。ToF 摄像头结构简单稳定、测量距离远、更适合室外场景,可被广泛应用于智能手机、AR 眼镜、机器人和汽车电子领域。

芯片解密据了解,SIF2310 采用了背照式技术(Back-side illumination),在单芯片上实现了感光器件与处理电路的高度集成。该芯片具有 HVGA 级(480x360)高分辨率、7um 的小尺寸像素、100MHz 调制频率、240fps 的原始数据输出以及符合 CSI-2 标准的高速 MIPI 接口。同时,该芯片针对 NIR(近红外)波长进行了特殊优化,使其在 940nm 波长处的 QE(量子效率)可以达到 30%以上,典型场景下的测量误差(σ error)< 0.5%。

据介绍,聚芯微电子是国内极少数掌握从像素设计、定制化工艺开发、芯片解密混合信号电路设计到系统解决方案全体系技能的公司。该公司通过不懈的努力,借助创新的像素架构,实现了全局曝光快门与背照式工艺的结合,并有效改善了高频调制下的调制解调率(Demodulation Contrast, DC),从而实现了更高效的电荷分离,经过优化的信号链架构带来了更低的系统噪声。

另一方面,通过和全球最顶级的晶圆代工厂的深度合作,聚芯微电子成功在硅晶圆表面构建出一层特殊的感光结构,进而实现 QE 的大幅提升。相较于使用传统技术的 ToF 传感器,SIF2310 在 940nm 红外波长的 QE 提升了至少 3 倍。

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