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芯片解密TI推出其首款带集成驱动器、内部保护和有源电源管理的车用GaN FET
   

德州仪器(TI)芯片解密今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET),进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比,新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器,可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99%的效率,并将电源磁性器件的尺寸减少59%。TI利用其独有的GaN材料和在硅(Si)基氮化镓衬底上的加工能力开发了新型FET,与碳化硅(SiC)等同类衬底材料相比,更具成本和供应链优势。更多信息请登录www.ti.com.cn/LMG3425R030-pr-cn和www.ti.com.cn/LMG3525R030-Q1-pr-cn查看。

电气化正在改变汽车行业,消费者越来越需要充电更快、芯片解密续航里程更远的车辆。因此,工程师亟需在不影响汽车性能的同时,设计出更紧凑、轻便的汽车系统。与现有的Si或SiC解决方案相比,使用TI的新型车用GaN FET可将电动汽车(EV)车载充电器和DC/DC转换器的尺寸减少多达50%,从而使工程师能够延长电池续航,提高系统可靠性并降低设计成本。在工业设计中,芯片解密这些新器件可在更低功耗和更小电路板空间占用的情况下,在AC/DC电力输送应用(例如超大规模的企业计算平台以及5G电信整流器)中实现更高的效率和功率密度。

Strategy Analytics的动力总成、车身、底盘和安全服务总监Asif Anwar表示:“GaN等宽带隙半导体技术无疑为电力电子设备(尤其是高压系统)带来了更稳定的性能。德州仪器历经十多年的投资和开发,提供了独有的整体解决方案——将内部硅基氮化镓(GaN-on-Si)器件的生产、封装与优化的硅基驱动器技术相结合,从而能在新应用中成功采用GaN。”

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