芯片解密|单片机解密|IC解密|芯片破解|程序解密|13315190088.详情请登录www.taihedz.cn.百度地图 Google地图
芯片解密 ic解密
>> 联系我们 more
地址:

电话:
手机:
传真:
微信:
邮箱:
网址:
石家庄新华区民族路77号华强
广场D座2009
0311-88816616/87087811
13315190088
0311-87087811
xinpianjiemi
feixindz@163.com
www.feixindz.com
芯片解密:
PCB抄板:
样机制作:
产品开发:



您现在的位置:首页 >> CPLD芯片解密
CPLD芯片解密

在线咨询,点击进入
每天9:30-18:30
在线咨询,点击进入
每天9:30-18:30
单片机解密三星3nm芯片成功流片 只待规模化量产
   7月1日消息,据报道,单片机解密三星宣布,3nm制程技术已经正式流片。据介绍,三星的3nm制程采用的是GAA架构,性能优于台积电的3nm FinFET架构。

       单片机解密此次流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的。此前,三星曾在2020年完成3nm工艺的开发,但开发成功并不意味着,不过那并不意味着三星的产品最终进入量产的时间可以确定。伴随着此次成功流片,三星3nm芯片大规模量产的时间节点已经正式临近。

三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的,单片机解密目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构,而是采用GAA的结构。因此,三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。

    在技术性能上,单片机解密GAA架构的晶体管能够提供比FinFET更好的静电特性,可满足某些栅极宽度的需求。而这主要表现在同等尺寸结构下,GAA的沟道控制能力得以强化,借此给予尺寸进一步微缩提供了可能性。

上一篇:IC解密2021年底无线充电智能手机将突破10亿部
下一篇:单片机解密英特尔新版Xeon服务器芯片Sapphire Rapids投产时间将晚于预期